令和6年6月12日
ものづくり産業課 研究開発推進担当
担当者 下川、納塚
直通
0952-25-7129
E-mail:monodukurisangyou@pref.saga.lg.jp |
佐賀県立九州シンクロトロン光研究センター研究員及び共同研究者による研究が、半導体の変質構造に関する謎を解明しました
佐賀県立九州シンクロトロン光研究センター（以下「本センター」）は、「ナノレベル」の高度な分析や解析ができる九州で唯一の放射光施設で、全国唯一の県立施設です。
このたび、本センター研究員及び共同研究者の半導体に関する研究が、米国物理学協会(1931年設立)が発行する「Journal of Applied Physics」の特集記事(Featured article)及び表紙に掲載されました。本誌は週刊誌であり、表紙への日本人研究者の掲載は、年間数件程度です。
本研究では、原因が分かっていなかったSiCの表面荒れについて、その原因が結晶構造の変質であると解明されました。このことにより、SiCパワー半導体の製造過程における重要な知見が示され、シリコンウェハなどで世界の半導体産業を支え、さが半導体フォーラムの取組により人材の育成や企業の成長を応援する佐賀県にとっても、更なる半導体産業発展の機運の高まりが期待されます。
また、本センターでは各研究員の研究も支援しているとともに、事業者からの技術相談にも対応しています。
添付資料